煤矿爆破

2005, (04) 4-6

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恒流作用下V型半导体桥电热特性研究
A Study on the Galvanothermy of V Type Semiconductor Bridge under Constant Current

胡剑书;焦清介;

摘要(Abstract):

文章介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小,发火电流越大,则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。作者同时给出了一个计算升温时间的公式。

关键词(KeyWords): 半导体桥;V型角;发火时间

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 胡剑书;焦清介;

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